2N7000 kumpara sa BS170: Paghahambing ng dalawang tanyag na N-channel MOSFET

Ang mga transistor ay may mahalagang papel sa mga elektronikong aparato, at malawak na ginagamit ito sa disenyo ng mga analog at digital circuit.Sa kasalukuyan, ang mga bipolar transistors at junction field-effect transistors ay malawakang ginagamit, ngunit ang pinaka-malawak na ginagamit na isa ay ang metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).Ang artikulong ito ay ihahambing ang 2N7000 at BS170N sa maraming aspeto upang galugarin ang kanilang mga pagkakaiba -iba sa mga katangian, mga parameter, at paggamit.

Ang mga transistor na may epekto sa MOS ay tinatawag ding metal oxide semiconductor field transistors (MOSFET).Sa pangkalahatan ito ay may uri ng pag -ubos at pinahusay na uri.Ang pinahusay na mga transistor na patlang ng MOS ay maaaring nahahati sa uri ng NPN at uri ng PNP.Ang uri ng NPN ay karaniwang tinatawag na uri ng N-channel, at ang uri ng PNP ay tinatawag ding uri ng P-channel.Para sa N-channel field-effect transistors, ang mapagkukunan at kanal ay konektado sa N-type semiconductor.Katulad nito, para sa isang p-channel field-effect transistor, ang mapagkukunan at kanal ay konektado sa p-type semiconductor.

Ang 2N7000 ay isang N-Channel MOSFET sa TO-92 package.Hindi tulad ng isang BJT transistor na kung saan ay isang kasalukuyang kinokontrol na aparato, ang isang MOSFET ay isang aparato na kinokontrol sa pamamagitan ng paglalapat ng isang boltahe sa gate nito.Ang isa sa mga pangunahing tampok ng teknolohiya ng MOSFET ay ang transistor ay nangangailangan ng napakaliit o walang kasalukuyang pag -input upang makontrol ang pag -load, na ginagawang mainam ang MOSFET para magamit bilang mga amplifier.Maaari itong magamit sa karamihan ng mga sitwasyon na nangangailangan ng 400 mA DC at maaaring magbigay ng 2 amps ng kasalukuyang pulso.Kasabay nito, angkop din ito para sa mababang boltahe at mababang kasalukuyang mga patlang tulad ng maliit na kontrol ng motor ng servo, mga driver ng gate ng MOSFET, at iba pang mga switch.

• BS170

At 2N7002

At 2N7000G

• 2N7000-D74Z

At 2n7000rlrag

At IRF3205

Ang BS170 ay isang N-channel na pagpapahusay ng mode na MOSFET na may kakayahang lumipat ng 60V.Ito ay may isang maximum na kasalukuyang rating ng kanal na 500mA (tuloy-tuloy) at 1200mA (pulsed), isang paglaban ng source ng kanal na 1.2 ohms, at isang maximum na rating ng dissipation ng kuryente na 830 milliwatts.Dahil sa mga katulad na katangian nito, ang BS170 ay madalas na ginagamit upang palitan ang 2N7000.Ang boltahe ng threshold ng gate nito ay na -rate sa 3V (VDS = VGS, ID = 1mA), na ginagawang BS170 isang antas ng lohika na MOSFET na angkop para sa pagproseso at kontrol ng digital signal.

At BS170G

At BS170RLRAG

At 2N7002LT3G

• 2N7002

• 2SK423

Mula sa tsart sa itaas, makikita natin na ang mga parameter ng dalawa ay magkatulad, ngunit may mga pagkakaiba -iba sa pagwawaldas ng kuryente, tuluy -tuloy na pag -agos ng kanal, at mga katangian ng thermal.Dahil ang 2N7000 ay angkop para sa mga aplikasyon ng mababang-kapangyarihan at may mas mababang mga antas ng kasalukuyang at boltahe, mas mababa ang static na pagkonsumo ng kuryente.Dahil sinusuportahan ng BS170 ang mas malaking kasalukuyang at boltahe, magkakaroon ito ng mas mataas na pagkonsumo ng kuryente sa ilang mga aspeto.

Bilang karagdagan, ang maximum na kasalukuyang source ng kanal ng 2N7000 ay 350mA, ngunit hindi malinaw na nakasaad kung ang kasalukuyang ay nasa isang tuluy-tuloy na estado o isang pulsed na estado.Samantala, ang BS170 ay may maximum na kanal-sa-mapagkukunan na kasalukuyang 500mA (tuloy-tuloy) at 1200mA (pulsed).Samakatuwid, ang maximum na on-kasalukuyang ng BS170 ay mas mataas kaysa sa 2N7000.Nangangahulugan din ito na sa ilalim ng parehong mga kondisyon sa pagtatrabaho, ang BS170 ay maaaring mas angkop para magamit sa ilang mga circuit kaysa sa 2N7000.

• masungit at maaasahan

• Ang aparatong ito ay walang PB-free at halogen libre

• Kinokontrol ng boltahe ang maliit na switch ng signal

• Mataas na saturation kasalukuyang kakayahan

• High Density Cell Design para sa Mababang RDS (ON)

• Nagpapatakbo sa mababang boltahe at kasalukuyang at may mababang impedance ng DC, na pinapayagan itong magamit bilang isang switch

• Sa mababang impedance at mababang pagkonsumo ng kuryente, maaari itong magamit sa iba't ibang mga electronic circuit system

• masungit at maaasahan

• Ito ang mga aparato na walang PB

• Kinokontrol ng boltahe ang maliit na switch ng signal

• Mataas na saturation kasalukuyang kakayahan

• High Density Cell Design para sa Mababang RDS (ON)

• Ang paglaban sa alisan ng tubig ay 1.2 ohms (typ)

• Ang maximum na rate ng pagwawaldas ng kuryente ay 830 milliwatts

Katulad sa anumang iba pang MOSFET, ang pagsasaayos ng 2N7000 pin ay may tatlong mga pin, lalo na ang mapagkukunan, gate, at alisan ng tubig mula kaliwa hanggang kanan (flat side, na may mga lead na tumuturo pababa), tulad ng ipinapakita sa sumusunod na figure:

GATE (g): Ang gate ng 2N7000 ay ang control end ng isang field-effect transistor, na karaniwang konektado sa control signal ng isang circuit, tulad ng isang microcontroller, chip, sensor, atbp.

Alisan ng tubig (d): Ang kanal ng 2N7000 ay ang pagtatapos ng output ng isang transistor na epekto ng patlang, na karaniwang konektado sa mga kinokontrol na circuit tulad ng mga LED, motor, relay, atbp.

Pinagmulan (s): Ang mapagkukunan ng 2N7000 ay ang pag-input ng isang field-effect transistor, na karaniwang konektado sa GND ng circuit.

Kapansin -pansin na pinakawalan ni Onsemi ang pinakabagong datasheet para sa 2N7000 noong Enero 2022. Kabilang sa mga ito, ang mga posisyon ng kanal at pinagmulan ng mga pin ay napalitan, at ang aktwal na pagsasaayos ng pin ay pareho sa figure sa itaas, kung saan ang pin 1 ay angPinagmulan at pin 3 ang kanal.

Ang PIN na pagsasaayos ng BS170 ay may kasamang tatlong mga pin, na kung saan ay kanal, gate, at mapagkukunan mula kaliwa hanggang kanan (flat side, humantong sa pagharap).

Kapansin -pansin na naglabas si Onsemi ng isang bagong bersyon ng BS170 noong Disyembre 2021, na may ibang layout ng pin mula sa iba pang mga disenyo ng mga tagagawa.Sa bagong bersyon na ito, ang mga posisyon ng gate at mapagkukunan ng mga pin ay napalitan.Ang sumusunod ay isang paghahambing sa pagitan ng orihinal at bagong mga pagsasaayos ng PIN ng BS170.

Gate (g): Kontrolin ang MOSFET upang i -on at off ito

Alisan ng tubig (d): Kasalukuyang dumadaloy sa pamamagitan ng kanal, karaniwang konektado sa pag-load (p-channel)

Mga Pinagmulan (Mga Kasalukuyang Daloy sa labas ng Transistor sa pamamagitan ng Emitter, Karaniwan Grounded (P-Channel)

• Audio amplification

• Output ng IC

• Iba't ibang pagpapalakas ng signal

• Output ng Microcontroller

• Audio preamplifier

• LED flasher at dimmer

• Bilang isang driver ng gate ng MOSFET

• Kontrolin ang maliit na motor ng servo

• Mga Application ng Mababang Power Switch: Maliit na ilaw, motor, at relay

• Ang paglipat ng mga naglo -load sa ibaba 500mA (tuloy -tuloy) at 1200mA (pulsed)

Parehong pumapasok sa mga pakete ng TO-92.Ang form na ito ng package ay medyo pangkaraniwan at may mga pakinabang ng maliit na sukat, madaling pagpupulong, at angkop para sa iba't ibang mga senaryo ng aplikasyon.Ang TO-92 ay ang pinaka-compact na semiconductor na bahagi ng pakete, na pangunahing gawa sa isang halo ng epoxy resin at mga plastik na materyales.Dahil sa pagiging compactness nito at ang mga materyales na ginamit, mas mahusay ang paglaban ng init ng aparato.

Ang BS170 ay isang N-Channel Enhancement Mode Field Effect transistor ay ginawa gamit ang mataas na cell density, teknolohiya ng DMOS.Ang napakataas na proseso ng density na ito ay idinisenyo upang mabawasan ang paglaban sa estado habang nagbibigay ng masungit, maaasahan, at mabilis na paglipat ng pagganap.

Maaari itong magamit sa karamihan ng mga aplikasyon na nangangailangan ng hanggang sa 400mA DC at maaaring maghatid ng pulsed kasalukuyang hanggang sa 2A.Ito ay angkop din para sa mababang boltahe, mababang kasalukuyang mga aplikasyon tulad ng maliit na control ng motor ng servo, mga driver ng gate ng MOSFET, at iba pang mga application ng paglipat.

Ang BS170 ay maaaring magamit sa paglipat ng mga circuit upang makontrol ang daloy ng kasalukuyang sa mga elektronikong aparato.Ang maliit na sukat nito, mataas na bilis ng paglipat, at mababang on-resistensya ay ginagawang angkop para sa mahusay na mga application ng paglipat sa iba't ibang mga electronic circuit.

Ang 2N7000 ay maaaring lumipat ng 200 mA.Ang BS170 ay maaaring lumipat ng 500 mA, na may maximum na on-resistance ng 5 Ω sa 10 V VGS.

Naka-package sa isang TO-92 enclosure, kapwa ang 2N7000 at BS170 ay 60 V na aparato.Ang 2N7000 ay maaaring lumipat ng 200 mA.Ang BS170 ay maaaring lumipat ng 500 mA, na may maximum na on-resistance ng 5 Ω sa 10 V VGS.Ang 2N7002 ay isang bahagi na may katulad (ngunit hindi magkapareho) mga de -koryenteng katangian bilang ang 2N7000 ngunit magkakaibang pakete.